BSP317P L6327參數(shù):MOSFET P-CH 250V 430MA SOT-223
類別:分立半導(dǎo)體產(chǎn)品-FET - 單標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000系列:SIPMOS®包裝:帶卷 (TR)FET 類型:MOSFET P 通道,金屬氧化物FET 功能:邏輯電平門漏源極電壓 (Vdss):250V電流 - 連續(xù)漏極 (Id)(25° C 時):430mA不同?Id、Vgs 時的?Rds On(最大值):4 歐姆 @ 430mA,10V不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):2V @ 370µA不同 Vgs 時的柵極電荷 (Qg):15.1nC @ 10V不同 Vds 時的輸入電容 (Ciss):262pF @ 25V功率 - 最大值:1.8W安裝類型:表面貼裝封裝:TO-261-4,TO-261AA供應(yīng)商器件封裝:PG-SOT223-4